К1156ЕУ1 микросхема интегральная полупроводниковая
увеличить... |
|
К1156ЕУ1 микросхемы полупроводниковой:
К1156ЕУ1 - это интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ)микросхемы интегральные используются в РЭА в большой области применения с функционалом универсальный импульсный стабилизатор напряжения с регулируемым выходным напряжением с 1,25V по 40V, выходным импульсным током до 1,5A, входным напряжением до 40V и частотой с 0,1 по 100kHz. Микросхемы выполнены в металлокерамическом корпусе 4112.16-3. Тип прибора указывается на металлической части корпуса. Рабочая температура эксплуатации микросхемы от -60 до +125 град С. Климатическое исполнение микросхемы УХЛ. Микросхемы соответствуют техническим условиям 2) АЕЯР.431420.007-01ТУ.
Ссылки на технические материалы
карта | фото | схема выводов |
назначение выводов | параметры | структурная схема |
предельные параметры | схема включения | |
Знак завода изготовителя
Схема расположения выводов
Вес не превышает 1,8g.
Структурная схема
Назначение выводов
Контакт | Цепь | Контакт | Цепь |
01 | катод диода | 09 | неинвертирующий вх компаратора |
02 | анод диода | 10 | инвертирующий вх компаратора |
03 | эмиттер вых-ого транз-а | 11 | общий |
04 | вых ОУ | 12 | частотозадающий конденсатор |
05 | питание ОУ | 13 | напряжение питания |
06 | неинвертирующий вх ОУ | 14 | ограничение по току |
07 | инвертирующий вх ОУ | 15 | коллектор предвых-ого транз-а |
08 | вых опорного напряжения | 16 | коллектор вых-ого транз-а |
Основные электро параметры при t=(-60...+125)oC
Название характеристики, единица и режим замера | Буквенное обозначение |
Измер. вывод |
Норма | |
больше | меньше | |||
1. Остаточное напряжение, V (U CC1=3V, I s=1000mA): при объединении выводов 15 и 16; | U DC | 16 | 1 | 2,0 |
при разделении выводов 15 и 16. | 1 | 1,5 | ||
2. Опорное напряжение, V (U CC1=3V...40V, I 0=-1mA) | U REF | 8 | 1,18 | 1,31 |
3. Выходное напряжение низкого уровня операционного усилителя (ОУ), V (U CC1=20V, U CC2=5V, U CC3=-5V, I 0=5mA) | U OL | 4 | - | U CC3+2,0 |
4. Выходное напряжение высокого уровня ОУ, V (U CC1=20V, U CC2=5V, U CC3=-5V, I 0=-50mA) | U OH | 4 | U CC2-3,0 | - |
5. Напряжение смешения нуля ОУ, mV (U CC1=20V, U CC2=20V, U CC3=-20V) | U I02 | 6,7 | -50 | +50 |
6. Напряжение смещения нуля компаратора, mV (U CC1=40V) | U I02 | 9, 10 | -50 | +50 |
7. Напряжение срабатывания токовой защиты, mV (U CC1=5V) | U P | 14 | 200 | 500 |
8. Прямое напряжение диода, V (I F=1000mA) | U F | 2 | - | 2,0 |
9. Входной ток ОУ, uA (U CC1=20V, U CC2=20V, U CC3=-20V) | I 11 | 6, 7 | - | 1,5 |
10. Входной ток компаратора, uA (U CC1=40V) | I 12 | 9, 1 | - | 1,5 |
11. Ток потребления (без ОУ), mA (U CC1=40V) | I CC1 | 13 | - | 5,0 |
12. Ток потребления ОУ, mA (U CC1=20V, U CC2=20V, U CC3=-20V) | I CC2 | 5 | - | 2,5 |
13. Ток разряда время задающей емкости, uA (U CC1=5V...40V) | I DCH | 12 | 175 | 400 |
14. Ток заряда время задающей емкости, uA (U CC1=40V) | I CH | 12 | 15 | 35 |
15. Ток утечки на выходе, uA (U CC1=40V, U S=40V) | I LO | 16 | - | 20 |
16. Ток утечки диода, uA (U I=-40V (напряжение анода)) | I L | 2 | - | 20 |
17. Нестабильность по напряжению, %/V (U CC1=3...40V, I O=-1,0mA) | K UI | 8 | - | 0,025 |
18. Нестабильность по току, %/mA (U CC1=5V, I O=-(1...10)mA) | K UO | 8 | - | 0,1 |
1. U CC3 - стабилизированное напряжение, приложенное к выводу 11.
2. Положительным считается ток, втекающий в схему.
Предельные К1156ЕУ1 параметры
Название характеристики, единица и режим замера | Буквенное обозначение | Норма | Время воздействия предельного режима, ms |
Примеча- ние |
|||
предельно-допустимый режим | предельный режим | ||||||
больше | меньше | больше | меньше | ||||
1. Коммутируемое напряжение, V | U S | 3,0 | 40 | - | 45 | 100 | 1 |
2. Напряжение питания, V | U CC1 | 3,0 | 40 | - | 45 | 100 | 1 |
U CC2 | 3,0 | 40 | - | 45 | 100 | 1 | |
3. Постоянное обратное напряжение диода, V | U R | - | 40 | - | 45 | 100 | 1 |
4. Коммутируемый ток, mA | I S | - | 1000 | - | 1500 | - | 2 |
5. Прямой ток диода, mA | I F | - | 1000 | - | 1500 | - | 2 |
6. Выходной ток, mA (от источника опорного напряжения) | I 01 | - | 10 | - | 15 | 100 | 1 |
7. Входной ток ОУ, mA: вытекающий; | I 02 | - | 50 | - | 75 | 100 | 1 |
втекающий. | - | 5 | - | 10 | 100 | 1 | |
8. Частота коммутации, kHz | f S | 0,1 | 100 | - | - | ||
9. Рассеиваемая мощность, W (до Токр.ср=25oС) | P tot | - | 0,9 | - | - | 3 |
1. Воздействие предельного режима со скважностью не менее 100.
2. Длительность и скважность К1156ЕУ1 воздействия предельного и предельно-допустимого режима определяется из условия не превышения предельно допустимой мощности рассеивания.
3. При температуре ОС больше 25оС Ptot снижается по линейному закону: Ptot=0,9-(T-25оС)/Rt, Rt=125оС/W.