Корзина
Каталог
Производитель
Информация159НТ101В 2000 микросхема интегральная полупроводниковая
 увеличить... |
|
||||||||||||
159НТ101В микросхемы полупроводниковой:
159НТ101В - это интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ)микросхемы интегральные используются в радио-электронной аппаратуре в широком спектре применения с функциональным назначением базовая схема дифференциального усилителя. Микросхемы выполнены в металлостеклянном корпусе. Тип операционного усилителя указывается на металлическом корпусе. Рабочая температура эксплуатации микросхемы от -60 до +125 град С. Климатическое исполнение микросхемы УХЛ и соответствует техническим условиям для: 2) ХМ3.456.014ТУ.
Ссылки на технические материалы
| карта | электрическая схема | схема выводов |
| значение выводов | параметры | параметры в течении 50000 часов |
| допустимые параметры | ||
Знак завода изготовителя
Схема расположения выводов
Вес не превышает: для НТ1 1,5g; для НТ101 1,4g.
Длина выводов микросхем: для НТ1 20mm; для НТ101 13.5mm.
Схема электрическая принципиальная
Назначение выводов
| Контакт | Цепь | Контакт | Цепь |
| 1 | Балансировка | 5 | Балансировка |
| 2 | Вход инвертирующий | 6 | Выход |
| 3 | Вход неинвертирующий | 7 | Напряжение питания плюс Uип |
| 4 | Напряжение питания минус Uип | 8 | Коррекция |
Условия эксплуатации
Микросхемы 159НТ101В допускают эксплуатацию в условиях и после воздействия на них следующих механических нагрузок: вибрация в диапазоне частот от 1 до 5000Hz с максимальным ускорением 40g; многократных ударов с максимальным ускорением 150g при длительности удара от 1 до 3ms; одиночных ударов с максимальным ускорением 1000g при длительности удара от 0,2 до 1ms; линейных (центробежных) нагрузок с максимальным ускорением 500g.Микросхемы допускают эксплуатацию в условиях воздействия на них следующих климатических факторов: температуры окружающей среды от 213 до 398К; относительная влажность воздуха 98% при температуре 308К без конденсации влаги; смены температуры от 213 до 398К.
Основные электро параметры при t=25+-10 градусов цельсия
| Наименование параметра, режим замера, единица замера | Тип микросхемы | Допуск | |
| Обратный ток коллектора, nA, не более (при UСВ=20V) | НТ1А-НТ1Е | 20 | |
| Обратный ток эмиттера, nA, не более (при UВЕ=4V) | НТ1А-НТ1Е | 50 | |
| Начальный ток коллектора, nA, не более (при UСЕ=20V, RВ=10^4Om) | НТ1А-НТ1Е | 50 | |
| Ток утечки между транзисторами, nA, не более (при UTIT2=25V) | НТ1А-НТ1Е | 10 | |
| Статический коэффициент прямой передачи в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала, в пределах, (при UСВ=5V, f=50Hz, tU=2ms) | IE=1mA | НТ1А, НТ1Г | 30-90 |
| НТ1Б, НТ1Д | 60-180 | ||
| IE=0,05mA | НТ1Б, НТ1Е | не менее 80 | |
| Отношение статических коэффициентов прямой передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала, не менее (при UСВ=5V, f=50Hz, tU=2ms) | IE=1mA | НТ1А, НТ1Б | 0,9 |
| НТ1Г, НТ1Д | 0,8 | ||
| IE=0,05mA | НТ1В | 0,92 | |
| НТ1Е | 0,8 | ||
| Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте, не менее (при UCB=5V, IE=3mA, f=10^8Hz) | НТ1А-НТ1Е | 2,5 | |
| Модуль разности прямых напряжений эммитер-база, mV, не более (UCB=5V, IE=1mA) | НТ1А-НТ1В | 3,0 | |
| НТ1Г-НТ1Е | 10 | ||
| Емкость коллекторного перехода, pF, не более (при UCB=5V, f=10^7Hz) | НТ1А-НТ1Е | 3,0 | |
| Емкость эммитерного перехода, pF, не более (при UEB=1V, f=10^7Hz) | НТ1А-НТ1Е | 4,0 | |
Электрические параметры в течение 50000 часов эксплуатации
| Наименование параметра, режим замера, единица замера | Тип микросхемы | Допуск | |
| Начальный ток коллектора, nA, не более | НТ1А-НТ1Е | 1,0 | |
| Обратный ток эммитера, nA, не более | НТ1А-НТ1Е | 250 | |
| Ток утечки между транзисторами, nA, не более | НТ1А-НТ1Е | 50 | |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала, в пределах, не менее | IE=1mA | НТ1А, НТ1Г | 20-100 |
| НТ1Б, НТ1Д | 40-200 | ||
| IE=0,05mA | НТ1Б, НТ1Е | 55 | |
| Отношение статических коэффициентов прямой передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала, не менее | IE=1mA | НТ1А, НТ1Б | 0,8 |
| НТ1Г, НТ1Д | 0,7 | ||
| IE=0,05mA | НТ1В | 0,8 | |
| НТ1Е | 0,7 | ||
| Модуль разности прямых напряжений эммитер-база, mV, не более | НТ1А-НТ1В | 5 | |
| НТ1Г-НТ1Е | 15 | ||
Допустимые режимы эксплуатации
| Наименование параметра, режим замера, единица замера | Допустимое значение параметров | Примечание |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-база, V | 20 | В диапазоне температур от 213 до 398К |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер, V | 20 | |
| Максимально допустимое напряжение эммитер-база, V | 4 | |
| Максимально допустимое напряжение между транзисторами, V | 25 | |
| Максимально допустимый ток коллектора, mA | 10 | |
| Максимально допустимый импульсный ток коллектора, mA | 40 | |
| Максимально допустимая мощность рассеивания, mW | 75 | В диапазоне температур от 213 до 358К |
Указания по применению и эксплуатации
Установка и извлечение микросхем 159НТ101В из контактирующих устройств при измерениях, ремонте и входном контроле электрических параметров должны производиться при выключении источника питания. При монтаже микросхемы допускается производить изгиб выводов на расстоянии 1-4mm от корпуса микросхемы, радиус изгиба 1+-0,5mm.Пайку выводов допускается производить на расстоянии 1+0,5mm от корпуса микросхемы.
Не рекомендуется использовать микросхему в совмещенных предельных электрических и температурных режимах.
При упаковке, хранении, входном контроле и монтаже микросхем в узлы и блоки аппаратуры, а также при их эксплуатации должны быть приняты меры по защите от статического электричества. Допустимое значение статического потенциала не более 100V.
Хранение
Микросхемы 159НТ101В следует хранить в упаковке предприятия-изготовителя, вмонтированными в аппаратуру, в комплекте ЗИП при условиях: в отапливаемых (или охлаждаемых) и вентилирующих складах при температуре от 278 до 313К и относительной влажности воздуха до 80% при температуре 298К.